晶圆生产的基础工艺

集成电路芯片有成千上百的种类和功用。然而，它们都是由为数不多的基本结构（主要为双极结构和金属氧化物半导体结构，见第十六章）和生产工艺制造出来的。类似于汽车工业，这个工业生产的产品范围很广，从轿车到推土...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1134 关键词：晶圆生产的基础工艺

晶圆制备介绍

高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆。在上世纪60年代开始使用的是1²直径的晶圆，而现在业界根据90年代的工艺要求生产200毫米直径的晶圆。300毫米直径的晶圆也已经投入生产线了，而根据SIA的技术路线...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1279 关键词：晶圆制备介绍

晶圆制备阶段

**矿石到高纯气体的转变**气体到多晶的转变**多晶到单晶，掺杂晶棒的转变**晶棒到晶圆的制备半导体制造的第一个阶段是从泥土里选取和提纯半导体材料的原料。提纯从化学反应开始。对于硅，化学反应是从矿石到硅化物气...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1188 关键词：晶圆制备阶段

晶体和晶圆质量

半导体器件需要高度的晶体完美。但是即使使用了最成熟的技术，完美的晶体还是得不到的。不完美，叫做晶体缺陷，会产生不平均的二氧化硅膜生长、差的外延膜的淀积、晶圆里不均匀的掺杂层及其它问题而导致工艺问题。在...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1236 关键词：晶体和晶圆质量

晶圆刻号

大面积的晶圆代在晶圆制造工艺中有高价值，区别它们是防止误操作所必需的，并且可以保持精确的可追溯性。使用条形码和数字矩阵码（图3.19）的激光刻号被采用了。3对300毫米的晶圆，激光点是一致认同的方法。来源:零...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1089 关键词：晶圆刻号

晶圆制造实例

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1816 关键词：晶圆制造实例

晶圆测试

在晶圆制造完成之后，是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中，每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。晶圆测试也就是芯片测试（diesort）或晶圆电测（wafersort）。在测试时，晶...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：3835 关键词：晶圆测试

晶圆烘干技术

**旋转淋洗烘干机**异丙醇（IPA）蒸汽烘干法**表面张力/麦兰烘干法。完全的烘干是在一个类似离心分离机的设备中完成的。一种方式是将晶片承载器装入一圆筒状容器内部的片匣固充器中。在这一圆筒状容器的中心是一排连...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1474 关键词：晶圆烘干技术

累积晶圆生产良品率

在晶圆完成所有的生产工艺后，第一个主要良品率被计算出来了。对此良品率有多种不同的叫法，如Fab良率(FabYield)、生产线良率、累积晶圆厂良率或CUM良率。晶圆厂CUM良率用一个百分比来表示，可通过两种不同的计算方...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2044 关键词：累积晶圆生产良品率1000

晶圆生产良率的制约因素

晶圆生产良率受到多方面的制约.下面列出了5个制约良率的基本因素,任何晶圆生产厂都会对他们进行严格的控制.这5个基本因素的共同作用决定了一个工厂的综合良率.1.工艺制程步骤的数量2.晶圆破碎和弯曲3.工艺制程变异4....

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1602 关键词：晶圆生产良率的制约因素

晶圆生产良率的制约因素-工艺制程步骤的数量

从图6.2中看出,要得到85.9%的CUM晶圆生产良率,每个单一制程站良率必须高于90%.图所示只是一个非常简单的11步工艺流程.ULSI电路需要50~100个主要工艺操作.到2010年,生产晶圆的主要工艺操作将达到600个.每个主要工艺操...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1878 关键词：晶圆生产良率的制约因素-工艺制程步骤的数量2010

晶圆针测制程

经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒/芯片（Die/chip），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片...

分类：电子测量 时间：2007-04-29 阅读：1794 关键词：晶圆针测制程

半导体晶圆制造中产量与生产周期优化法

摘要:在晶圆制造厂中，有时为了提高设备利用率而盲目地增加投料/产出速率，造成生产周期时间增长，在制品增多。本文建立效用函数和多目标决策对其进行优化选择，并且阐述了在晶圆制造厂实际生产中，经济原则对周期时...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2098 关键词：半导体晶圆制造中产量与生产周期优化法

半导体晶圆制造中操作工数量的配置

潘峰，钱省三 （上海理工大学工业工程研究所 微电子发展研究中心，上海 200093） 摘要：对半导体制造中员工人数的配置问题进行了研究，提出了操作工人数的长期决策和短期决策两种情况，并用仿真模拟的方法对操作...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2673 关键词：半导体

SPC在半导体晶圆制造厂的应用（下）

摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态作有效的监控，所以迫切需要先进的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态，而SPC就是其中最重要的一种技术。本文着重论述了...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：305 关键词：SPC在半导体晶圆制造厂的应用（下）

半导体晶圆制造中的设备效率和设备能力

摘要：在半导体制造车间中，设备是非常昂贵的，设备折旧与维修占生产成本组成的比重，设备利用率的提高显得尤为重要，因此设备效率和设备能力已成为半导体制造者最关心的问题之一。本文针对该问题，系统地介绍了半导...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：260 关键词：半导体晶圆制造中的设备效率和设备能力

SPC在半导体晶圆制造厂的应用（上）

摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态有效地监控，所以迫切需要先进的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态，而SPC就是其中最重要的一种技术。本文针对SPC做了简...

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：268 关键词：SPC在半导体晶圆制造厂的应用（上）CONTROL ADVANCEDEQUIPMENT

满足晶圆级封装微型化的曝光设备

在过去的几年中人们已经有几次预言由于受到物理限制单个晶片的尺寸不可能再缩小，但实际上芯片的尺寸还一直在缩小中。国际半导体技术蓝图(ITRS)预言在未来的10年中DRAM的密度将达到每芯片10TM(G级集成)。为了提高器...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：223 关键词：满足晶圆级封装微型化的曝光设备2005

提供电介质测试标准的晶圆

前端非接触电介质电学测试仪是工艺工程师的基本工具之一，它能够每天显示我们关心的电学测试参数，并且当某一参数超过限制时提供警报，显示可能的工艺偏移。在生产中，测试人员对关键工艺提供统计过程控制（SPC），f...

分类：电子测量 时间：2007-04-29 阅读：1368 关键词：提供电介质测试标准的晶圆

晶圆測試機架構

1.Controller2.PinElectronicCard3.TimingGenerator4.PrecisionMeasurementUnit5.PatternMemory6.FixtureBoard7.SocketBoard8.Progra

分类：电子测量 时间：2007-04-29 阅读：1166 关键词：晶圆測試機架構