导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合...
分类：其它 时间：2014-06-17 阅读：1914 关键词：英飞凌推出其第五代碳化硅肖特基二极管英飞凌 碳化硅肖特基二极管 功率因素校正 PFC
Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列
Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能...
分类：元器件应用 时间：2010-12-30 阅读：4256 关键词：Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由...
GB-T10195[1].1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器.exe
GB-T10195[1].1-1997电子设备用压敏电阻器第2部分空白详细规范碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：//www.yinghuochong.com
分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1855 关键词：GB-T10195[1].1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器.exe
进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其...
分类：电源技术 时间：2008-10-06 阅读：2109 关键词：开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件开关电源／转换器
王强，李玉国，石礼伟，孙海波（山东师范大学半导体研究所，山东 济南 250014）摘要：概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法，介绍了其在微电子及光电子领域的应用，并对其发展动态及存在问题进行了简要...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：3459 关键词：碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用
