碳化硅技术资料-维库电子市场网

Toshiba - 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。为...

时间：2021-05-18 阅读：1015 关键词：Toshiba - 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块MOSFET模块

如何用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器？

摘要随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康，并延长其使用寿命。简介电池供电的便携式...

分类：汽车电子/智能驾驶时间：2021-04-20 阅读：695 关键词：如何用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器？电源

CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车

当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统...

分类：汽车电子/智能驾驶时间：2021-01-05 阅读：956 关键词：CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车碳化硅

在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

简介　　在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET （parasitic parameters），以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率標準以及市...

分类：电源技术时间：2020-12-14 阅读：401 关键词：在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势开关电源转换器

碳化硅肖特基二极管的优点及应用

碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。　　它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与...

分类：元器件应用时间：2020-11-18 阅读：577 关键词：碳化硅肖特基二极管的优点及应用碳化硅肖特基二极管

智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车

当前，新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工...

分类：汽车电子/智能驾驶时间：2020-11-03 阅读：877 关键词：智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车电动汽车

安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块，该产品已被的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。...

分类：元器件应用时间：2020-07-28 阅读：900 关键词：安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器碳化硅

碳化硅单晶体二极管的优势及应用范围

碳化硅材料半导体，虽然随着技术的发展，目前碳化硅成本下降很多，但是据市场价格表现同类型的硅材料与碳化硅材料的半导体器件价格相差十倍有余。碳化硅单晶体可以制作晶体管（二极管和三极管）。因为碳化硅的禁带宽...

分类：元器件应用时间：2020-07-10 阅读：587 关键词：碳化硅单晶体二极管的优势及应用范围二极管

使用碳化硅 MOSFET 提升工业驱动器的能源效率

由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC ...

分类：工业电子时间：2020-07-09 阅读：676 关键词：使用碳化硅 MOSFET 提升工业驱动器的能源效率碳化硅 ,工业驱动器

ST - 使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

摘要　　由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶...

分类：工业电子时间：2020-07-03 阅读：666 关键词：ST - 使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率MOSFET

英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析

2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里？...

分类：元器件应用时间：2020-05-20 阅读：921 关键词：英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析英飞凌,碳化硅

Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

业界希望基于碳化硅（SiC）的系统能地提升效率、减小尺寸和重量，从而帮助工程师创建创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力...

分类：元器件应用时间：2020-04-08 阅读：724 关键词：Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性Microchip

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块

各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方...

分类：汽车电子/智能驾驶时间：2020-03-12 阅读：5081 关键词：CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块CISSOID,碳化硅

ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中，碳化硅MOSFET正在取代标准硅...

分类：电子测量时间：2019-03-08 阅读：921 关键词：ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发MOSFET

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理

Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。它们可...

分类：元器件应用时间：2019-03-07 阅读：1086 关键词：Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理肖特基二极管

UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品

近日宣布推出两款新型隔离式控制器局域网（CAN）灵活数据速率（FD）收发器，这两款产品将业内更高总线故障保护、更高共模瞬变抗扰度（CMTI）和更低电磁辐射于一身，尺寸缩...

分类：通信与网络时间：2018-11-06 阅读：869 关键词：UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品UF3C FAST 碳化硅

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET...

分类：元器件应用时间：2018-10-23 阅读：655 关键词：Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET碳化硅