射极跟随器时的功率MOSFET的驱动

功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表，就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。　　代表性的开关电源用控制IC TL494等，如图1所示...

分类：元器件应用 时间：2008-09-10 阅读：5215 关键词：射极跟随器时的功率MOSFET的驱动TL494跟随器MOSFET

Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列

日前，Vishay宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAKSC-75封...

分类：元器件应用 时间：2008-08-22 阅读：1928 关键词：Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列SIB411DKSIB415DKSIB417DKSIB419DKMOSFET

瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET

这两种产品可以放大转换为高频的音频信号，以发射规定的输出功率，并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品，0.25W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。这两种产品具有以下特点低电...

分类：物联网技术 时间：2008-06-10 阅读：2440 关键词：瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET发射器功率放大器RQA0010RQA0014高频

瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现业界最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。

分类：物联网技术 时间：2008-06-06 阅读：2787 关键词：瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件3.6V2008TECHNOLOGYMOSFET20KV

瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/14

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。这两

分类：电源技术 时间：2008-06-03 阅读：1298 关键词：瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/143.6V2008TECHNOLOGYRENESASMOSFET

ST新推功率MOSFET系列，采用版STripFET技术

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗...

分类：电源技术 时间：2008-06-02 阅读：1605 关键词：ST新推功率MOSFET系列，采用最新版STripFET技术MOSFETSO-8DPAKSTD60N3LH5STD85N3LH5

瑞萨科技高效大功率MOSFET器件RQA0010

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.），推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现业界最高功效级别*1和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器

分类：元器件应用 时间：2008-06-02 阅读：2015 关键词：瑞萨科技高效大功率MOSFET器件RQA0010MOSFETRQA0010

瑞萨新款RQA0010/14高频功率MOSFET适用于功率放大器

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。这两

分类：模拟技术 时间：2008-06-02 阅读：1566 关键词：瑞萨新款RQA0010/14高频功率MOSFET适用于功率放大器高频MOSFET功率放大器

Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有此类器件中最薄厚度及导通电阻。VishaySiliconixSi8441DB具有0.59m

分类：电源技术 时间：2008-05-30 阅读：1458 关键词：Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFETSILICONIXVISHAYMICRO4.5VMOSFET

ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗...

分类：元器件应用 时间：2008-05-24 阅读：1913 关键词：ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品STD60N3LH5STD85N3LH5MOSFET场效应晶体管

安森美推出12款功率MOSFET组件，适用于笔记本电脑等

电源管理解决方案供货商安森美半导体(ONSemiconductor)推出12款新的功率MOSFET组件，针对直流-直流(DC-DC)转换进行最佳化，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算机应用中...

分类：电源技术 时间：2008-03-06 阅读：1684 关键词：安森美推出12款功率MOSFET组件，适用于笔记本电脑等

NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品

近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(

分类：模拟技术 时间：2008-02-01 阅读：1607 关键词：NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品

NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品

NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40

分类：电源技术 时间：2008-01-25 阅读：1460 关键词：NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品

安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。这些新型的30...

分类：电源技术 时间：2007-12-22 阅读：1968 关键词：安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件NTD4809NNTD4810NNTD4813NNTD4815NNTMFS4841NNTD4806NNTD4804NNTD4805NNTD4808N

意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N

意法半导体(ST)推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，...

分类：元器件应用 时间：2007-12-19 阅读：1699 关键词：意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60NSTD11NM60N

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFE

分类：元器件应用 时间：2007-12-19 阅读：1542 关键词：Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件SI4642DY