开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的驱

分类：电源技术 时间：2010-02-26 阅读：2040 关键词：开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃STC03DE220HVIRS26310DJPBFMAX15024MAX15025开关电源

国半功率MOSFET简介及其应用

引言目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能，但前者采用电压控制的器件，而后者则是采用电流控制的双极型器件。我们将当今对MOSFET...

分类：元器件应用 时间：2010-01-19 阅读：2406 关键词：国半功率MOSFET简介及其应用功率MOSFET

TI高电流DC/DC应用的功率MOSFET显著降低上表面热阻

日前，德州仪器(TI)宣布面向高电流DC/DC应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCoolNexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许...

分类：电源技术 时间：2010-01-15 阅读：1505 关键词：TI高电流DC/DC应用的功率MOSFET显著降低上表面热阻DC/DC功率MOSFET

意法推出通态电阻仅650V的全新功率MOSFET

意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻的650V MOSFET产品。　　意法半导体功率MOSF...

分类：元器件应用 时间：2009-12-16 阅读：3738 关键词：意法推出通态电阻仅650V的全新功率MOSFETMAX247STW77N65M5电阻功率MOSFET

Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70?封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的导通电阻。新款SiA433EDJ是...

分类：元器件应用 时间：2009-12-12 阅读：3518 关键词：Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFETMOSFET

Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了Trenc

分类：元器件应用 时间：2009-09-16 阅读：3461 关键词：Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFETMOSFET电阻

Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用双面冷却、导通电阻的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较

分类：元器件应用 时间：2009-09-02 阅读：2749 关键词：Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET电阻功率MOSFET

业界导通电阻的60V TrenchFET功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用双面冷却、导通电阻的60V器件---SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较

分类：元器件应用 时间：2009-08-27 阅读：2851 关键词：业界导通电阻的60V TrenchFET功率MOSFETMOSFET

Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。此次发布的器件包括业界首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V器件，以及具有...

分类：元器件应用 时间：2009-08-19 阅读：2199 关键词：Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFETSIB412DKSIB414DK功率MOSFET

ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器

日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950...

分类：元器件应用 时间：2009-06-02 阅读：2514 关键词：ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器MOSFET晶体管液晶显示器

功率MOSFET应用于开关电源注意的问题

功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。（1）栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。（2）直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。（3）并联工作时容易产生高频振荡...

分类：电源技术 时间：2009-02-25 阅读：2399 关键词：功率MOSFET应用于开关电源注意的问题MOSFET开关电源

功率MOSFET场效应管的特点

功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两...

分类：元器件应用 时间：2009-02-25 阅读：13217 关键词：功率MOSFET场效应管的特点MOSFET场效应管

Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAKSC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Visha

分类：元器件应用 时间：2009-01-13 阅读：2294 关键词：Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK肖特基二极管SiB800EDK

IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、

分类：元器件应用 时间：2008-11-05 阅读：1992 关键词：IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列电阻HEXFET功率MOSFET

功率MOSFET集成驱动电路设计

IR2130的内部结构如图3－2所示。由图可见，IR2130内部集成有一个电流比较器CC、一个电流放大器CA、一个自身工作电源前置电压检测器UVD、一个故障逻辑处理单元FL及一个锁存逻辑CL。除上述外，它的内部还集成了3个输人...

分类：其它 时间：2008-10-25 阅读：4314 关键词：功率MOSFET集成驱动电路设计IR2130TMS320LF2407AIGBT集成驱动