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BC847BDW1T1G的技术参数

产品型号:BC847BDW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):290最小电流增益带宽乘积Ft(MH

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1671 关键词:BC847BDW1T1G

BC846BDW1T1G的技术参数

产品型号:BC846BDW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):450最小电流增益带宽乘积Ft

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1365 关键词:BC846BDW1T1G

MMBD701LT1G的技术参数

产品型号:MMBD701LT1G最小反向电压VR(V):70最大二极管电容CT@V(Max)(pF):1最大二极管电容CT@VV:20正向电压VF最大值(V):1最大反向漏电流IR(Max)(nA):200最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):3

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1473 关键词:MMBD701LT1G

MMBD914LT1G的技术参数

产品型号:MMBD914LT1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF):4反向恢复时间trr(ns):4类型:单开关管封装/温度(℃):

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1641 关键词:MMBD914LT1G

MMBD7000LT1G的技术参数

产品型号:MMBD7000LT1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):0.750正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(pF):1.500反向恢复时间trr(ns):4类型:

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1490 关键词:MMBD7000LT1G

MMBD6100LT1G的技术参数

产品型号:MMBD6100LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.010正向恢复电压VF最小值(V):0.850正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(pF):2.500反向恢复时间trr(ns):4

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1759 关键词:MMBD6100LT1G

MMBD6050LT1G的技术参数

产品型号:MMBD6050LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):0.850正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(pF):2.500反向恢复时间trr(ns):4

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1421 关键词:MMBD6050LT1G

MMBD2838LT1G的技术参数

产品型号:MMBD2838LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF):4反向恢复时间trr(ns):4类型:双开关管,共阴封装

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1614 关键词:MMBD2838LT1G

MMBD2836LT1G的技术参数

产品型号:MMBD2836LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF):4反向恢复时间trr(ns):4类型:双开关管,共阳封装

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1640 关键词:MMBD2836LT1G

MMBD354LT1G的技术参数

产品型号:MMBD354LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1480 关键词:MMBD354LT1G

MMBD352LT1G的技术参数

产品型号:MMBD352LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1503 关键词:MMBD352LT1G

MMBD301LT1G的技术参数

产品型号:MMBD301LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.52/0.01A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流I

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1485 关键词:MMBD301LT1G

MMBD101LT1G的技术参数

产品型号:MMBD101LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.6/0.01A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR(

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1446 关键词:MMBD101LT1G

MBD54DWT1G的技术参数

产品型号:MBD54DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):-平均整流器前向电流IO(max)(A):30瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.320非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR(max)(mA)

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1637 关键词:MBD54DWT1G

MBD330DWT1G的技术参数

产品型号:MBD330DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):-平均整流器前向电流IO(max)(A):30瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.400非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR(max)(mA

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1588 关键词:MBD330DWT1G

MBD110DWT1G的技术参数

产品型号:MBD110DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):-瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR(max)(mA)

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1669 关键词:MBD110DWT1G

MBD101G的技术参数

产品型号:MBD101G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):-平均整流器前向电流IO(max)(A):7瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-瞬间反转电流IR(max)(mA):0.2

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1489 关键词:MBD101G

NCV7702BDWR2G的技术参数

产品型号:NCV7702BDWR2G输出电流(mA):750输出RDS(ON)@25℃:-片上反馈二极管:√激活输出箝位:-并行输入:√串行接口:-失效报告:√低压锁定:-开路检测:-上电复位保护:-电流限制保护:√过压保护:√过温保护:√低占...

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1645 关键词:NCV7702BDWR2G

NCV1413BDR2G的技术参数

产品型号:NCV1413BDR2G输出电流(mA):500传输延时时间最大值(us):1关断状态电压最大值(V):50驱动器个数:7输出钳位二极管:Yes输入兼容性:TTL,5.0VCMOS封装/温度(℃):SOIC-16/-40~125描述:反相

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1539 关键词:NCV1413BDR2G

MC1413BDR2G的技术参数

产品型号:MC1413BDR2G输出电流(mA):500传输延时时间最大值(us):1关断状态电压最大值(V):50驱动器个数:7输出钳位二极管:Yes输入兼容性:TTL,5.0VCMOS封装/温度(℃):16SOIC/-40~85描述:反相输出达

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1716 关键词:MC1413BDR2G

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