采用PDIUSBD12的USB系统固件程序设计

摘要：在设计USB系统的过程中，固件程序的编写是非常重要的一个环节，它直接影响到开发产品的数据传输速度。以Phillips公司的USB控制芯睡PDIUSBD12为例，介绍了在设计开发USB外设中。固件的作用以及固件程序的编写流...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-04-28 阅读：1918 关键词：采用PDIUSBD12的USB系统固件程序设计PDIUSBD12USB2.0

用8031控制的BDJ-3A三相功率电能表

作者email: sunjufang65@163.com 8031单片机以其可靠性高、体积小、价格低、功能全等优点，广泛地应用于各种智能仪器中，这些智能仪器的操作在进行仪器校核以及测量过程的控制中，达到了自动化，传统仪器面板上...

分类：单片机与DSP 时间：2007-04-28 阅读：1525 关键词：用8031控制的BDJ-3A三相功率电能表

BD682G的技术参数

产品型号:BD682G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－总功耗PD(W

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1713 关键词：BD682G

BD681G的技术参数

产品型号:BD681G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－总功耗PD(W

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1631 关键词：BD681G

BD676G的技术参数

产品型号:BD676G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3总功耗PD(W)

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1669 关键词：BD676G

BD675G的技术参数

产品型号:BD675G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3总功耗PD(W)

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1449 关键词：BD675G

BD442G的技术参数

产品型号:BD442G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD（

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1537 关键词：BD442G

BD440G的技术参数

产品型号:BD440G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD（

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1553 关键词：BD440G

BD438G的技术参数

产品型号:BD438G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD（

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1698 关键词：BD438G

BD436TG的技术参数

产品型号:BD436TG类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):32集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1661 关键词：BD436TG

BD237G的技术参数

产品型号:BD237G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD（

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1719 关键词：BD237G

BD159G的技术参数

产品型号:BD159G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):350集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):240最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1579 关键词：BD159G

BD140G的技术参数

产品型号:BD140G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):1.500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：2160 关键词：BD140G

BD139G的技术参数

产品型号:BD139G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):1.500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1920 关键词：BD139G

BD136G的技术参数

产品型号:BD136G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):1.500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1488 关键词：BD136G

NSTB60BDW1T1的技术参数

产品型号:NSTB60BDW1T1类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):150直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):22KR2(Ω):10K芯片上标识:－封装/温度(℃):SOT-363/-55

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1587 关键词：NSTB60BDW1T1

BC857BDW1T1G的技术参数

产品型号:BC857BDW1T1G类型:双PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):290最小电流增益带宽乘积Ft(MH

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1900 关键词：BC857BDW1T1G

BC856BDW1T3G的技术参数

产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大值(dB):475最小电流增益带宽乘积Ft(MH

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1602 关键词：BC856BDW1T3G

BC856BDW1T1G的技术参数

产品型号:BC856BDW1T1G类型:双PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大值(dB):475最小电流增益带宽乘积Ft(MH

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1527 关键词：BC856BDW1T1G

BC847BDW1T3G的技术参数

产品型号:BC847BDW1T3G类型:NPN/NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hFE最大值(dB):220最小电流增益带宽乘积Ft

分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1576 关键词：BC847BDW1T3G