如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断...
分类：元器件应用 时间：2018-10-29 阅读：2267 关键词：适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍高频开关
IGBT在逆变电路中的设计与仿真： 1. 前言 全侨式逆变电路应用广泛，国内外许多厂家的焊机都采用此主电路结构。全桥式电路的优点是输出功率较大，要求功率开关管耐压较低，便于选管。在硬开关侨式电路中，I...
时间：2018-09-03 阅读：920 关键词：详解IGBT及其逆变器缓冲定律！逆变器
0 引言 2SD315AI 是瑞士CONCEPT 公司专为1 200 V和1 700 V IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础，外加必需的其他元件组成。该模块...
时间：2018-08-23 阅读：1088 关键词：IGBT 集成驱动模块2SD315AI 的应用研究二极管,DC/DC
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要...
时间：2018-08-21 阅读：839 关键词：IGBT,驱动电路,单片机
电源技术不断进步，这就使得传统的一些单一电源方案不再适合于对现如今的产品。最典型的例子就是随着应急电源与不间断电源的诞生，IGBT技术开始走俏起来。在本文中，小编将...
时间：2018-08-15 阅读：728 关键词：IGBT,驱动芯片,输出功率
IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极) 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值...
分类：电子测量 时间：2018-08-14 阅读：489 关键词：IGBT,场效应管,检测方法
IGBT基础与运用 IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容...
分类：元器件应用 时间：2018-07-05 阅读：180 关键词：IGBT,MOSFET
Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现功率密度
2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组...
分类：电源技术 时间：2018-06-14 阅读：820 关键词：Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度TRENCHSTOP 5技术.,英飞凌
在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体超结MOSFET与IGBT技术比较
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和的超结功率MOS...
分类：电源技术 时间：2018-06-08 阅读：1359 关键词：在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较电路,半导体,MOSFET,IGBT
IGBT作为电力电子领域的元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的...
分类：电子测量 时间：2018-06-04 阅读：6764 关键词：如何计算IGBT的损耗和结温?IGBT,电子
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGB...
ROHM开发出业界高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT “RGTV/RGW系列”
知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接...
分类：元器件应用 时间：2018-04-17 阅读：1184 关键词：ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT “RGTV/RGW系列”
IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但...
分类：电子测量 时间：2018-01-12 阅读：572 关键词：万用表,igbt,晶体管
分类：元器件应用 时间：2017-11-27 阅读：0
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封...
分类：元器件应用 时间：2017-07-18 阅读：2365 关键词：IGBT的封装失效机理
IGBT的工作原理和作用 IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是...
分类：元器件应用 时间：2017-06-06 阅读：1055 关键词：igbt
