Infineon - 英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ，进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI），进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计，是大电流...
摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万...
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。 IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV...
光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司［编者注：2014年8月更名为keysight（是德）公司］生产的栅极驱动电路产品之一，可用于驱动150A/1200V的IGBT，开关速度为0.5s，有过流...
时间：2022-05-26 阅读：800 关键词：IGBT
由于IGBT小电流转换大功率的能力，在电源中已是不可或缺的一部分。在不同类型的电路应用中，IGBT已成了首选的解决方案，如变频器。随着电力费用的不断上涨，变频器可以有效...
先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。 ...
电力电子系统（如马达驱动）中功率器件开关损耗的降低受到电磁干扰（EMI）或开关电压斜率等参数的限制。通常是通过选择有效的功率晶体管栅极电阻来解决这一问题。但这在运...
功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两...
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。 TLP5705...
分类：元器件应用 时间：2021-12-01 阅读：559 关键词：东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦东芝
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非...
分类：元器件应用 时间：2021-06-11 阅读：719 关键词：ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”ROHM
从功能上来说，IGBT就是一个由晶体管实现的电路开关。当其导通时，可以承受几十到几百安培量级的电流；当其关断时，可以承受几百至几千伏特的电压。 家里的电灯开关是用按钮控制的。IGBT作为晶体管的一种，它不用...
热阻和热阻抗的重要性 随着功率器件封装逐渐面向大电流、小型化，产品的散热性能显得尤为重要。热设计在IGBT选型和应用过程中至关重要，关系到模块应用的可靠性、损耗以及寿命等问题，而模块的热阻和热阻抗是系统...
分类：元器件应用 时间：2021-04-29 阅读：1510 关键词：热阻和热阻抗，与IGBT选型和应用热阻
IGBT的分类及主要参数（PT-IGBT与NPT-IGBT区别）
IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得...
分类：元器件应用 时间：2021-04-29 阅读：5049 关键词：IGBT的分类及主要参数（PT-IGBT与NPT-IGBT区别）IGBT
太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下，太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能，输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。以往的光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。...
分类：元器件应用 时间：2021-04-29 阅读：1295 关键词：MOSFET逆变器和IGBT逆变器电路图对比MOSFET逆变器
引言 反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种...
分类：元器件应用 时间：2020-07-23 阅读：639 关键词：基于IGBT技术实现反并联二极管的正确设计二极管,GBT技术
一、三极管 三极管是一种电流控制体器件，它的主要作用是把微弱信号放大，输入阻抗低，例如在基极b给一个很小的电流Ib，在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。它是电流放大器件，但是在实际时候通常通过一个电阻将...
分类：元器件应用 时间：2020-05-09 阅读：816 关键词：三极管、场效应管、IGBT怎么用？三极管,场效应管,IGBT
IGBT是个功率器件，它的开关频率上限并不是一个确定的值。我一般都是这么回答这个问题的：首先，开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下，IG...
时间：2020-05-06 阅读：2454 关键词：IGBT的开关频率可以有多高？开关
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT...
分类：元器件应用 时间：2020-03-31 阅读：639 关键词：MOS管和IGBT管的前世今生，该如何选择？MOS管，IGBT管
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有...
分类：元器件应用 时间：2020-03-17 阅读：671 关键词：MOS管和IGBT管有什么区别？不看就亏大了MOS管,IGBT管
TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光...
分类：元器件应用 时间：2020-03-12 阅读：913 关键词：TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦东芝,光耦
