海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变...
分类：其它 时间：2007-11-15 阅读：1560 关键词：海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权
80C186XL嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案
摘要：介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL语言编程实现...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-11-14 阅读：1855 关键词：80C186XL嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案
Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
日本存储芯片制造商Elpida储存公司日前宣布，公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容量的DDR2SDRAM芯片。Elpida储存公司称，它是目前全球首家采用70纳米工艺制造1GB和512MB的DDR2SDRAM芯片的
分类：模拟技术 时间：2007-11-13 阅读：1416 关键词：Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
ST推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内存过热的...
分类：传感技术 时间：2007-11-13 阅读：1464 关键词：ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器STTS424TSSOP8
1引言FIFO(FirstInFirstOut)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中．往往需要对大量数据进行快速存储和读取，而这种先进先出的结构特点...
分类：其它 时间：2007-10-29 阅读：2150 关键词：基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现HY64UD16322AHY57V281620E
摘要：在高速数字视频系统设计中，SDRAM信号时序问题至关重要。本文在AVIA9700数字电视接收机方案基础上，分析了高速嵌入式视频系统由于各种原因引起的布线延时所产生的SDRAM访问时序问题以及SDRAM控制器所提供的延...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-10-19 阅读：3073 关键词：高速嵌入式视频系统中SDRAM时序控制分析MPEG-2AVIA9700
意法半导体推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内...
分类：传感技术 时间：2007-10-10 阅读：1695 关键词：ST推出最新DRAM内存模块标准专用温度传感器TSSOP8
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（ST)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率...
分类：传感技术 时间：2007-09-30 阅读：1724 关键词：意法半导体推出新的DRAM内存模块标准专用温度传感器TSSOP8
意法半导体（ST)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快...
分类：其它 时间：2007-09-29 阅读：1419 关键词：ST 推出DRAM内存模块标准专用温度传感器
基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速数据采集系统中应用
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制，以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序操作，设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用...
分类：单片机与DSP 时间：2007-09-27 阅读：3035 关键词：基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速数据采集系统中应用EP1C6Q240C8
摘要： 介绍了一种SDRAM通用控制器的FPGA模块化解决方案。关键词： SDRAM控制器；FPGA；VHDL；状态机；仲裁机制 引言 同步动态随机存储器(SDRAM)，在同一个CPU时钟周期...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-09-20 阅读：2381 关键词：SDRAM通用控制器的FPGA模块化设计EP1C6Q240C8K4S641632E
Spansion计划把它专有的MirrorBit技术定位成DRAM的竞争者，开辟高端手机、PDA和通讯手机市场。Spansion目前只供应NOR闪存，由于激烈竞争和价格压力，已经在10个季度中没有盈利。Spansion的总裁兼首席执行官Bertra
分类：其它 时间：2007-08-07 阅读：2140 关键词：NOR闪存巨头Spansion抛出“DRAM竞争论”
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，...
分类：其它 时间：2007-08-07 阅读：1618 关键词：海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一
奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场
存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。MobileRAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码...
分类：其它 时间：2007-08-07 阅读：1292 关键词：奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场
内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)日前发表第二季DRAM厂销售额排名调查，该机构指出，2007年第二季DRAM品牌厂商销售额较去年季下滑24.4%。此外，与一季度相比DDR2 512Mb价格大幅下跌了40%以上，受此影响，2007...
分类：其它 时间：2007-08-07 阅读：1332 关键词：集邦科技公布2007年第二季DRAM厂商排名TOP10
iSuppli警告说，长期占据全球DRAM内存工业统治地位的韩国公司，其出货领先地位在未来三年中面临动摇的危险。iSuppli的CEO在汉城数字论坛上表示，现在韩国的DRAM内存工业仍在全球居于领先地位，主要厂商三星和海力士...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-08-02 阅读：1260 关键词：韩国内存厂商面临挑战 2010年恐失去DRAM霸主地位
三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。“三星公司正在增加产能，并...
分类：其它 时间：2007-08-02 阅读：1496 关键词：价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长
市场调研机构iSuppli日前表示，2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技(Ramaxel Technology)和勤茂科技(TwinMOS Technologies)的产品销量迅猛增长，增长率分别达到85%和127%。 中国的记忆科技公司不仅是给排...
分类：其它 时间：2007-08-02 阅读：1441 关键词：记忆科技、勤茂DRAM模块市场销量迅猛增长
DRAM（DynamicRAM），动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次，但是由于它采用同一电路来存取数据，所以存取时间有一定的间隔，...
分类：其它 时间：2007-08-02 阅读：10079 关键词：什么是DRAM？DRAM是什么意思？
Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 参考设计
OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demonstrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCore® product. This reference design provides an interface ...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-07-31 阅读：2998 关键词：Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 参考设计
