Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
HynixSemiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度最高的图形存储器——512Mb容量的第四代图形DDR(GDDR4)DRAM。该公司计划为图形芯片组供应商提供该芯片的样口，并于2006年初批量生产这种芯片。Hynix介...
分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：2027 关键词：Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载 每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列针对DDR2DIMM负载进行了优化，能精确控制传输至模块上的每一个DRAM信号，从而使新寄存器的DDR2寄存存储模块...
分类：通信与网络 时间：2007-12-07 阅读：1488 关键词：飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载 每模块提供多达36个DRAMLFBGA-96DDR2-667SSTU32865
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRSDRAM器件的2x128Mx72双数据速率(DDR)SDRAM存储器模块.模块包括有36个128Mx
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-12-07 阅读：1428 关键词：W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供
Altera与NorthwestLogic宣布为Altera的高密度StratixII与StratixIIGXFPGA，提供经过硬件验证的667-MbpsDDR2SDRAM接口，这个接口结合了Altera的自动校准DDR2PHY与Northwest
分类：其它 时间：2007-12-06 阅读：1823 关键词：支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储...
分类：其它 时间：2007-12-05 阅读：1691 关键词：三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
Elpida基于双栅晶体管的DRAM速率达1,333Mbps
ElpidaMemory日前推出新一代存储器，适用于如笔记本、台式电脑及服务器等计算机应用。其最新的512MbDDR3SDRAM具有DDR2技术两倍的传输速率，高达1,333Mbps，同时具有较低的功耗。Elpida据称是业界首个采用双栅晶体管...
分类：元器件应用 时间：2007-12-04 阅读：1666 关键词：Elpida基于双栅晶体管的DRAM速率达1,333Mbps
Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRAM采用×8或×16位带宽，可方便地集成到DDR2非缓存双列直插内存模块(DIMM)中。 Elpida的这款256Mb DDR2...
分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1760 关键词：Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（M...
分类：通信与网络 时间：2007-12-04 阅读：1533 关键词：海力士推新款手持装置用DRAM
NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子...
分类：其它 时间：2007-12-03 阅读：1373 关键词：NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
据路透（Reuters）与BusinessWire报导，日本内存大厂尔必达（Elpida）正式宣布量产70纳米制程的DRAM，其中包括1Gb与512Mb容量的DDRII内存芯片。尔必达预估，2007年第一季将开始出货，初期产能为每个月数千片晶圆，将
分类：其它 时间：2007-11-30 阅读：1891 关键词：尔必达宣布量产70纳米制程DRAM芯片
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。...
分类：传感技术 时间：2007-11-27 阅读：1353 关键词：ST推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器TSSOP8
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算机等系统内的双速...
分类：传感技术 时间：2007-11-27 阅读：1575 关键词：意法推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器TSSOP8
三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能
三星电子的667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器带宽比目前市场上最快的主存储器还宽25%。这款667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器是为台式电脑、笔记本电脑、工作站和服务器的快速数据传送而设计的。三星已经开始量...
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1756 关键词：三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能DDR400DDR2-667
Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据处理数率高达20GB/s，非常适合于高清视频、图像处理应用。 500){this.width=500}" border=0> 该GDDR5图...
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：2180 关键词：Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64DDRSDRAM内存条，基于256MbDDRSDRAM器件。它由16个32M×84DDRSD
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1836 关键词：WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量
分类：其它 时间：2007-11-23 阅读：1466 关键词：ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A
美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起，构成强
分类：其它 时间：2007-11-20 阅读：1575 关键词：美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片
8月19日消息，据外电报道，全球最大的芯片代工厂商台积电日前表示，微软已经开始在其Xbox360视频游戏机生产中使用台积电的90纳米嵌入式DRAM处理技术。台积电高级技术部门负责平台营销的高级经理JohnWei在台积电网站...
分类：其它 时间：2007-11-20 阅读：1773 关键词：台积电称xbox360已采用90纳米dram芯片
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的...
分类：通信与网络 时间：2007-11-19 阅读：1495 关键词：海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM
FormFactor发表PH150XP晶圆探针卡，扩展其PH150系列DRAM晶圆测试产品的阵容。PH150XP探针卡提供多项良率与处理量提升的功能，让DRAM制造商能进一步降低整体测试成本。PH150XP探针卡样本已开始供应予各大内存领导制造...
分类：其它 时间：2007-11-16 阅读：1790 关键词：FormFactor发表DRAM晶圆探针卡PH150XP
