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IRF640FP

更新时间:2025-06-10 06:14:37

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STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP

封装:TO-220-3 整包

IRF640FP 概述

IR40FP是由国际整流器公司（现为英飞凌科技的一部分）生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该元件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适用于多种功率管理应用。其最大漏极电流可达13A，栅源电压为±20V，最大漏源电压为100V。典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器以及各类需要高效电能转换的设备中。在使用时应注意适当的散热设计以确保器件稳定运行，避免过热导致性能下降或损坏。在电路设计中应确保栅极驱动电路能够提供足够的电压来完全开启MOSFET，以减少导通损耗并提高效率。

IRF640FP 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

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