世俱杯 2025

肖特基

GaN基肖特基结构紫外光电探测器

GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...

分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:3880 关键词:GaN基肖特基结构紫外光电探测器探测器

肖特基二极管(SBD)

一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特...

分类:元器件应用 时间:2008-10-09 阅读:6070 关键词:肖特基二极管(SBD)二极管

PWM DC/DC转换器肖特基二极管(SBD)

肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上,利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用,相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管(Schottk...

分类:电源技术 时间:2008-10-07 阅读:2437 关键词:PWM DC/DC转换器肖特基二极管(SBD)DC/DC/转换器

使用肖特基二极管的DBM电路的构成

肖特基二极管具有开关速度很快,而且正向电压低,低耦合容量的特征。为活用其高频特性.多使用在DBM (双重均衡混频器)电路中。  DBM电路的应用有平衡调制、同步检波、混频等.在调制信号上给子脉冲波,进行脉冲调...

分类:元器件应用 时间:2008-09-10 阅读:2943 关键词:使用肖特基二极管的DBM电路的构成二极管DBM电路

小信号用肖特基势垒二极管RB721Q的特性

如下图表示测定的二极管的开关特性。由于属于肖特基势垒型,所以开关特性极好,但耐压(VRM=25V)很低,额定电流(Io=30mA)也很小,所以在小信号的整流、检波、DBM(双路平衡混频器)的二极管桥式电路等中被使用。  ...

分类:元器件应用 时间:2008-09-10 阅读:2333 关键词:小信号用肖特基势垒二极管RB721Q的特性RB721Q二极管RB721Q开关

高速整流用肖特基势垒二极管1GWJ42的特性

如图表示测定的此种二极管的开关特性。额定为40V、1A,逆恢复时间在35ns以下的二极管。由于是肖特基势垒型,正向电压VF很小,所以可实现的损耗的整流电路。  观察波形的图片,和1S1885相比,逆恢复特性得到了大大...

分类:元器件应用 时间:2008-09-09 阅读:3034 关键词:高速整流用肖特基势垒二极管1GWJ42的特性二极管1GWJ42

肖特基二极管简介

基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地...

分类:元器件应用 时间:2008-08-27 阅读:4133 关键词:肖特基二极管简介B82-004二极管

什么是肖特基二极管

基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地...

分类:元器件应用 时间:2008-08-21 阅读:1695 关键词:什么是肖特基二极管二极管

Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045

Vishay宣布推出最大结温高达+175℃的首款新型第五代(Gen.5.0)高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用...

分类:元器件应用 时间:2008-08-14 阅读:1985 关键词:Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045二极管30CTT04560CPT045

肖特基二极管的封装及外形

肖特基二极管的封装采用TO-220.TO-3P封装形式和表面封装形式。  在TO-220封装形式中,据其内部结构又可分为单管和对管两种,对管又可分为共阴对管、共阳对管和串联对管三种形式。如图所示。           ...

分类:基础电子 时间:2008-04-08 阅读:6459 关键词:肖特基二极管的封装及外形

肖特基二极管常用型号及参数

常用的 有D80-004型、MBRl545型 、MBR2535型、B82一004型等,主要参数如表3-9所示。  常用的表面封装肖特基二极管有RB型等,主要参数如表所示。                    表1:常用肖特基二极管...

分类:基础电子 时间:2008-04-08 阅读:24712 关键词:肖特基二极管常用型号及参数

肖特基二极管

肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称,它属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。它的特点是反向恢复时间很短,其值可小到几纳秒,而工作电流却可达到儿千安培。肖特基二极管在电路中主要是作整流二极管、续流...

分类:基础电子 时间:2008-04-08 阅读:2422 关键词:肖特基二极管

Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试,可匹敌竞争的单片MOSFET/肖特基器件,以及使用相同控制器IC

分类:元器件应用 时间:2007-12-27 阅读:1929 关键词:Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件SI4642DY

Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBSTrench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时,平面肖特基整流器的高转换...

分类:其它 时间:2007-12-24 阅读:1875 关键词:Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件,与使用任何先前此类单片器件的电路相比,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试,可匹敌竞争的单片MOSFE

分类:元器件应用 时间:2007-12-19 阅读:1542 关键词:Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件SI4642DY

泰科推出适用于手机和RFID检测的ZBD硅肖特基二极管

泰科电子(TycoElectronics)旗下M/A-COM公司近日发布系列零偏置检测器(ZeroBiasDetector,ZBD)硅肖特基二极管——MA4E2200,据介绍,这款MA4E2200适合于手机和RFID检测应用。此系列器件采用通用的J

分类:通信与网络 时间:2007-12-18 阅读:1763 关键词:泰科推出适用于手机和RFID检测的ZBD硅肖特基二极管SOT-23SOD-323SOT-143

Zetex推出高效率低漏泄肖特基二级管

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA,有助于延长从充电器到发光二极管(LED)驱动器等多种应用系统的电池寿命。该器件的...

分类:元器件应用 时间:2007-12-14 阅读:1725 关键词:Zetex推出高效率低漏泄肖特基二级管SOD523ZLLS350

Linear推集成肖特基二极管白光LED驱动器

Linear推出双路、全功能、升压型DC/DC转换器LT3497,该器件从锂离子电池输入驱动多达12个白光LED。其高效率、固定频率工作确保一致的LED亮度和低噪声并最大限度地延长电池寿命,由于有片上肖特基二极管,因此无需外...

分类:光电显示/LED照明 时间:2007-12-13 阅读:1307 关键词:Linear推集成肖特基二极管白光LED驱动器

Vishay推出新型高电流密度肖特基整流器

Vishay Intertechnology公司今天宣布推出新系列高电流密度肖特基整流器。该系列产品采取致密封装,额定前向电流高达其它同类产品的三倍,具有高效及节省空间的特点。   ...

分类:电源技术 时间:2007-12-13 阅读:1785 关键词:Vishay推出新型高电流密度肖特基整流器SSC54SSA23L

品佳积极推广英飞凌第二代硅碳化物肖特基二极管

品佳近日积极推广英飞凌thinQ!TM2G家族-第二代硅碳化物Schottky二极管。该产品提供超越前一代的转换交换(switching)功能,能够让SMPS厂商降低系统成本,减少转换的损失;提高了转换之频率,便能采用更小、更便宜以及...

分类:元器件应用 时间:2007-12-12 阅读:1513 关键词:品佳积极推广英飞凌第二代硅碳化物肖特基二极管TO-252

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