世俱杯 2025

闪存

Hyperstone推出低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D闪存

Hyperstone宣布推出型号为X1的新型SATA III SSD控制器。X1的设计完全满足工业领域需求,目标产品应用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模组,CFast卡和eSSD的系统封装盘以及板载控制器和闪存芯片的闪存盘等。 基于先进的...

时间:2019-02-19 阅读:100 关键词:Hyperstone推出低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D闪存3D闪存,SSD控制器

手机闪存的技术解析

一部手机由许多零部件组成,除了处理器、运行内存、图形处理器等硬件会影响手机的性能之外,闪传也是一个影响性能和手机读取速度的重要指标。在手机兴起的这几年中,手机的闪传规格有了很大的提高,从eMMC规格的标准...

时间:2017-12-19 阅读:785 关键词:闪存

如何选择汽车应用闪存

在过去几年里,汽车应用对 NOR 闪存的需求不断增加。NOR 闪存最初应用在信息娱乐和引擎控制等方面。然而,随着汽车电脑化进程的步伐不断加快,NOR 闪存在汽车领域中的应用...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2017-10-16 阅读:937 关键词:如何选择最佳汽车应用闪存

基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...

时间:2017-06-27 阅读:1360 关键词:ClearNAND

东芝推出集成64层3D闪存的NVMeTM SSD

采用薄型单面规格、容量高达1024GB[1]的XG5系列客户级SSD 东京—东芝存储公司(以下简称为东芝)今日宣布推出XG5系列,这是一款集成64层3D闪存,采用单面规格设计,用户容...

时间:2017-06-20 阅读:1392 关键词:存储器,操作系统

关于嵌入式闪存的一些错误观念

多年来,汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知,汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元,而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2017-05-04 阅读:1081 关键词:闪存,嵌入式闪存,IDM,多晶硅浮栅嵌入式闪存,IoT应用,EEPROM,OTP

美高森美全新推出智能存储输入/输出控制器 释放闪存性能

致力于在、安全、可靠性和性能方面提供差异化的供应商公司(Micros Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)宣布推出新一代输入/输出(I/O)产品 SmartROC 3100和SmartIOC...

时间:2017-04-05 阅读:1336 关键词:美高森美,存储,控制器

Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

什么是闪存?了解闪存的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。   闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极...

时间:2016-11-04 阅读:361 关键词:Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三...

时间:2016-07-13 阅读:3715 关键词:三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

8颗256G闪存与机械硬盘比容量 三星2TB 850Pro SSD全面评测

机械硬盘速度太慢,固态硬盘容量太小?从此不必纠结。三星近日推出了首款消费级2TB SSD,下面小编将为大家全面解析这款集容量与性能于一身的霸主级SSD。   ...

分类:基础电子 时间:2015-07-08 阅读:3633 关键词:三星闪存SSDMLC2TB固态硬盘

Spansion:e.MMC缘何完胜SLC NAND成为嵌入式闪存新选择?

过去几年间,智能手机和平板电脑的迅猛发展,引发了电子产品对存储硬件的小型化、大容量等需求。而日益发展的多媒体播放设备、高清摄像头、车载信息娱乐系统、工业/医疗设...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2014-12-04 阅读:2270 关键词:Spansion:e.MMC缘何完胜SLC NAND成为嵌入式闪存新选择?嵌入式 SLC NAND e.MMC 闪存 Spansion

微芯新系列大闪存和RAM的单片机问市

导读:Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出采用256/64 KB闪存/RAM配置的全新PIC32MX1/2 单片机(MCU)系列,其配备了全面的软件和工具。  的整合单片...

分类:其它 时间:2014-07-04 阅读:2013 关键词:微芯新系列大闪存和RAM的单片机问市Microchip单片机PIC32MX132位MCU嵌入式控制

Spansion推出六款全新汽车级闪存设备

导读:全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司日前宣布推出六款新的汽车级闪存设备,从而进一步拓展了公司的汽车闪存产品线。Spansion推出的新产品包括三款新的串行闪存NOR和三款新的NAND闪存,...

分类:其它 时间:2014-04-28 阅读:1562 关键词:Spansion推出六款全新汽车级闪存设备Spansion NOR闪存 NAND闪存 S25FL116KS34ML01G1

LSI公司推出Nytro MegaRAID 8140-8e8i闪存卡

导读:LSI公司为了进一步扩展了Nytro产品组合,宣布LSINytro产品组合新增MegaRAID8140-8e8i闪存卡。自2012年4月Nytro产品系列问世以来,LSINytro闪存卡全球出货量已超过10万块。LSINytroMegaRAI

时间:2014-04-14 阅读:1734 关键词:LSI公司日前宣布推出Nytro MegaRAID 8140-8e8i闪存卡LSI闪存卡Nytro双核片

ARM Cortex-M3 32位微控制器新增一款512KB闪存产品

导读:目前L1系列共有三个产品线合70余款产品,其超低功耗和存储容量的组合在市场上堪称独一无二,闪存和RAM最大容量分别高达512KB和80KB.意法半导体STM32L1系列超低功耗ARMCortex-M332位微控制器新增一款512KB闪存...

分类:其它 时间:2014-04-02 阅读:4267 关键词:ARM Cortex-M3 32位微控制器新增一款512KB闪存产品ARM Cortex-M3 32位微控制器 512KB

瑞萨提供业内MCU 28nm制程片上闪存IP

导读:日前,瑞萨电子株式会社开发出一款28nm制程工艺的微控制器闪存工艺,此款28nm制程片上闪存IP是为满足MCU搭载的控制系统精密程度而开发出的高可靠性新型IP.随着现代发动机油耗不断降低,要求新型控制机制能够对...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2014-03-06 阅读:2667 关键词:瑞萨提供业内首个MCU 28nm制程片上闪存IP瑞萨28nm微控制器嵌入式闪存工艺

基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案

摘要:针对测控系统中海量数据的快速存储,设计了一种基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案。它是以FPGA为平台构建的SOPC系统,内含软核处理器Microblaze和包含DMA控制器的...

时间:2013-12-10 阅读:1501 关键词:基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案DMA高速数据闪存阵列核处理器

第三代SandForce闪存控制器SF3700系列问世

导读:LSI公司日前发布了一直居于市场领先地位的SandForce闪存控制器第三代SF3700系列产品。该器件相比以往产品能够提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度,充分满足SSD制造商的严格要求。日前,LSI公司发布了一直...

时间:2013-11-26 阅读:2272 关键词:第三代SandForce闪存控制器SF3700系列问世LSI公司SandForce闪存控制器SF3700系列

东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块

导读:日前,东芝公司(简称“Toshiba”)宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块,该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片,符合的e·MMC标准。 ...

时间:2013-11-06 阅读:1682 关键词:东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块东芝嵌入式NAND芯片闪存模块

基于ARM高速闪存MCU应对广泛嵌入式需求

突出特点  由于采用了ARM7TDMI-S内核,LPC2000系列MCU工作频率达60MHz,与其他8-bit产品相比具有更强的功能延展性。同时它借助片上存储器加 模块实现了“零等待访问”高...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2012-10-19 阅读:2512 关键词:基于ARM高速闪存MCU应对广泛嵌入式需求ARM高速闪存MCU

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