世俱杯 2025

内存

坚果手机拆解曝光:骁龙615处理器+海力士内存

时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...

分类:电子维修 时间:2015-09-01 阅读:2437 关键词:坚果手机骁龙615处理器海力士内存拆解

六代iPod touch完全拆解:电池 内存天大惊喜

沉寂两年多的iPod产品线终于升级了。第六代iPodtouch变化相当大:A8处理器、M8运动协处理器、800万像素摄像头、128GB大容量、iOS8.4系统、AppleMusic服务、土豪金/粉/蓝色...

分类:电子维修 时间:2015-07-21 阅读:5815 关键词:六代iPod touch完全拆解:电池 内存天大惊喜iPod touch电池内存拆解iPodtouch,电池,内存,拆解

内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性

随着从通信设备到航空装备和工业控制器等技术中对数据管理需求的不断增长,以及受到这些设备中不断增加的板载CPU、RAM和存储资源的推动,数据库管理系统(DBMS)软件在电子...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2014-12-18 阅读:2926 关键词:内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性内存数据库系统 数据持久性 NVDIMM

澜起DDR4内存接口套片通过Intel

澜起科技集团有限公司(“澜起”)宣布,公司的DDR4内存接口套片已成功通过英特尔公司的认证,完全支持基于IntelXeonProcessorE5-2600v3系列的服务器平台。澜起的DDR4内存接口套片包含DDR4寄存器(RCD)芯片和DDR4数...

分类:其它 时间:2014-09-19 阅读:1388 关键词:澜起DDR4内存接口套片通过Intel认证澜起科技 DDR4内存接口套片 数据缓冲器 DDR4英特尔

赛灵思开发出支持DDR4内存接口的UltraScale

导读:日前,赛灵思公司(简称“Xilinx”)开发出一款支持DDR4内存接口的UltraScale器件,该器件的推出为业界提供了市场领先的高性能DDR4内存解决方案。UltraScale器件采用ASIC级架构,支持大量I/O和超大存储带宽,...

时间:2014-03-12 阅读:1893 关键词:赛灵思开发出支持DDR4内存接口的UltraScale赛灵思DDR4内存接口UltraScale

S2C提供满足使用大容量或高性能DDR3内存的QuadE V7

导读:近日,SoC/ASIC快速原型解决方案领先的供应商S2C宣布提供满足使用大容量或高性能DDR3内存的QuadEV7.全新的QuadEV7能够扩充远程管理功能,帮助设计人员向着实现“云端”原型验证再迈进一步。据了解,S2C的QuadE...

分类:EDA/PLD/PLC 时间:2014-02-28 阅读:2519 关键词:S2C提供满足使用大容量或高性能DDR3内存的QuadE V7S2CQuadE V7FPGA时钟编程

基于RTX与反射内存的实时支撑系统设计

摘要:随着半实物仿真系统的发展,基于Windows+以太网的仿真模式不能满足仿真系统对实时性的要求,为达到提高仿真系统整体实时性的目的,采用了基于RTX+反射内存网的模式,...

分类:模拟技术 时间:2013-11-27 阅读:2243 关键词:基于RTX与反射内存的实时支撑系统设计RTX反射内存仿真系统数据传输

瑞萨电子RZ/A1系列MPU提供大容量片上随机访问内存

全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布推出RZ/A1系列嵌入式微处理器(MPU)解决方案总计15款新产品(包括子分类RZ/A1H、RZ/A1M以及RZ/A1L),用以为未来的“智能型社会”创建复杂的人机接口(HM...

时间:2013-07-01 阅读:2448 关键词:瑞萨电子RZ/A1系列MPU提供大容量片上随机访问内存瑞萨微处理器MPU

Android程序的内存泄漏与规避方法

引言  Android应用程序中内存使用的问题经常容易被忽视,在传统的编程语言中(例如C语言),回收内存的任务是由程序本身来完成的,程序可以显式分配和释放变量所占用的内...

分类:通信与网络 时间:2013-01-06 阅读:2826 关键词:Android程序的内存泄漏与规避方法Android内存泄漏规避方法

电源设计小贴士39:DDR内存电源

CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后,电源电压也随之降低,从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有...

分类:电源技术 时间:2011-12-28 阅读:1669 关键词:电源设计小贴士39:DDR内存电源

DDR内存电源

CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后,电源电压也随之降低,从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有...

分类:电源技术 时间:2011-12-16 阅读:3977 关键词:DDR内存电源内存电源

WinCE内存管理

进程、线程、内存管理是一个内核最基本的服务,也是一个内核最主要的组成部分。这里介绍一下内存管理。  同其它Windows操作系统一样,Windows CE.NET也支持32位虚拟内存机制、按需分配内存和内存映射文件等。但是...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-04 阅读:3275

GE反射内存节点

GE就是所谓的游戏修改器,它能够更改各种游戏的修改器,只要你知道游戏的代码,和一些修改的方法,便能随心所欲的修改游戏里的东西。可以说什么网游都能改,前提就是知道代...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-04 阅读:2106

ARM推出先进嵌入式内存测试与修复系统 走向纳米科技时代

ARM宣布推出新款先进emBISTRx嵌入式内存测试与修复系统。该系统与ARMAdvantage以及Metro内存编译器紧密整合,而该两项内存编译器均为Artisan实体层IP系列中的一员。此款ARM推出的全工嵌入式内存子系统,整合了内建自...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-04 阅读:3152 关键词:ARM测试嵌入式

第三代低延时内存被美光科技推出

低延时网络解决方案美光科技(MicronTechnology,Inc)今天推出了第三代低延时DRAM(RLDRAM○R3内存)—一种高带宽内存技术,能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展,对网络基础设施提出了更...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-03 阅读:1320

具有Intel处理器的美光新内存平板电脑和上网本

爱达荷州博伊斯 2010-07-28(中国商业电讯)--7月26日,美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-03 阅读:1658

三星DRAM内存市场将在2007年重新崛起

内存行业活脱脱一个春秋战国翻版,背后有韩国政府强力资金和行政支持的三星就如当年的强秦,美国镁光和日本尔必达大体相当于春秋时期的大诸侯国齐国和魏国,台系众多DRAM厂家则相当于当时的小诸侯国。和春秋战国不同...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-02 阅读:1343

产品多有利于内存市场的稳定,OEM买家不知如何选择

日前,市场研究机构iSuppli公司市场分析师Nam Hyung Kim表示,随着内存供应商将产品线多样化,这类产品价格变动频繁的特点可能将成为过去。  内存价格下跌很重要的一个因素是内存制造成本,对于厂家来说,2GB的内...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-02 阅读:1287 关键词:EM

尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作,今年11月份这种芯片将进入送样阶段,年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称,预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2011-09-02 阅读:1628 关键词:DDR3芯片

慢速内存和快速内存融合

美国北卡罗莱纳州立大学研究人员开发出一种新器件,该技术被认为是计算机内存研发领域取得的重大进步,将使大规模服 务器群更节能,并使计算机的启动变得更快。内存是计算...

分类:模拟技术 时间:2011-08-25 阅读:1673

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