NAND闪速存储器的ID读操作

ID代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称／器件型号而设置的。ID读指令用于读取该ID代码。 　　图1图示了ID读操作的流程。图2图示了发送ID读指令的操作。　　图1 ID读指令的躁作流程　　图2 ID读指令...

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：2256 关键词：NAND闪速存储器的ID读操作TC58V64NAND闪速存储器

NAND闪速存储器的复位操作

复位操作通过指令代码FFh的写人来进行。一旦发出该指令，内部用于编程／擦除的升压电路将断开，编程／擦除电压放电直至电压为0V。在放电这段时间内，R／B信号维持为Busy状态（低电平）。利用复位指令，地址寄存器的...

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：1770 关键词：NAND闪速存储器的复位操作NAND闪速存储器的

NAND闪速存储器的自动块擦除

自动块擦除是将指定的块的内容性设为FFh。正如先前所描述的那样，虽然写人操作是以页（528字节）为单位进行的，但擦除只能以块为单位进行。由于块擦除所提供的地址是块地址，所以占有2个字节。 　　自动块擦除的工...

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：1960 关键词：NAND闪速存储器的自动块擦除NAND闪速存储器

NAND闪速存储器的自动页编程操作

自动页编程操作按照如下的程序进行： 　　①发出数据输人指令（80h）； 　　②地址／数据输入； 　　③发出自动编程指令（10h）。 　　图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中，在②中所给予的数据不是直接写...

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：1812 关键词：NAND闪速存储器的自动页编程操作NAND闪速存储器

NAND闪速存储器的状态读的操作

状态读的操作如图1所示，如果跟着指令70h作，则读出存储器的状态。存储器的状态数据如图2所示。　　图1状态读操作　　图2TC58V64的状态　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（tgdrjb.cn）

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：1653 关键词：NAND闪速存储器的状态读的操作NAND闪速存储器状态读

NAND闪速存储器的数据读操作

TC58V64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。　　图1 TC58V64的读操作　　读操作时地址的指定方法如表1所示。给予的数据称为列地址，后面...

分类：其它 时间：2008-11-19 阅读：2452 关键词：NAND闪速存储器的数据读操作TC58V64NAND闪速存储器数据读操作

SPI总线对应的存储器的操作

SPI总线的工作本身与Microwire总线基本上没有太大的变化。图1表示M95256的存储器读周期。读命令的指令代码为“00000011”，但传送完该代码后，16位的地址由高位开始按顺序被传送，一旦接收到该地址位，就会从存储器...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2099 关键词：SPI总线对应的存储器的操作M95256SPI总线

闪速存储器指令

通过地址与数据特定组合的若干次写人序列，向闪速存储器发出指令。利用这样的序列，防止由于编程错误及开通电源的暂时不稳定等因素所引发偶然擦除及写人操作。 　　Am29F010A的指令定义如表所示。例如，当编程指令（...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1952 关键词：闪速存储器指令AM29F010A闪速存储器

NOR闪速存储器写周期的时序

写周期的详细情况将在后面进行描述，这里要说明的是，写周期在闪速存储器中利用WE的存取操作不是类似RAM那样的向指定地址的直接写人操作，而是通过指令对闪速存储器进行操作。与NAND闪速存储器相同，通过一连串的指...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2424 关键词：NOR闪速存储器写周期的时序AM29F010AAM29F010A-55AM29F010-55NOR闪速存储器

NOR闪速存储器读周期时序

下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是Am29F010A的读操作的时序图，表是时序规定。与前所概述的内容相比较，在时序图当中，作为基点的电压存在两处，比概略图具有更多的时间规定。　　图 Am29F010...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2308 关键词：NOR闪速存储器读周期时序AM29F010ANOR闪速存储器

NOR闪速存储器的写周期的概要

写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以OE保持高电平，由主机方面赋予数据（DQ0～DQ1）。　　图 闪速存储器的写操作　　当WE和CE双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1634 关键词：NOR闪速存储器的写周期的概要NOR闪速存储器

NOR闪速存储器的读周期的概要

下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。　　图 闪速存储器的读操作　　将希望访问的地址提供给A0～A16，一旦瓦、醌效（低电平），则由闪速存储器开始读出数据（因为是读操作，所以W...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1595 关键词：NOR闪速存储器的读周期的概要NOR闪速存储器

NOR闪速存储器与处理器的连接实例

表示闪速存储器与CPU的连接模式如图1所示。该图中信号名与信号的意思吻合ISA总线，通过地址译码器对CPU地址的高位进行解码，如果属于闪速存储器范围．则使CE信号有效，将地址的低位赋予闪速存储器。 图1 ...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1799 关键词：NOR闪速存储器与处理器的连接实例NOR闪速存储器

NOR闪速存储器信号的种类

Am29F010引脚的分组如图所示。Am29F040只是地址总线增加到18根，没有NC引脚，其他方面与Am29F010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、CE、OE、WE的组合如表所示。 图 Am29F01O的引脚分组 表 Am29F010A的操作...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2017 关键词：NOR闪速存储器信号的种类AM29F010AM29F040AM29F010ANOR闪速存储器信号

NOR闪速存储器的引脚配置

在器件的使用方面，必须了解引脚配置以及各个引脚所代表的意思，因此我们现在首先调查引脚的配置。下载Am29F010A的数据手册后，没有关于DIP封装的记载。但是，因为事实上Am29F010的DIP类型是存在的，所以引脚配置肯...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：3229 关键词：NOR闪速存储器的引脚配置AM29F010AM29F040BAM29F010ANOR闪速存储器

NAND闪速存储器的内部结构

TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。图 TC58V64的内部结构　　NAND闪速存储器的特点 　　①按顺序存取数据； 　　②存储器内部以块为单元进行分割，而各...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2773 关键词：NAND闪速存储器的内部结构TC58V64NAND闪速存储器

智能卡操作系统的存储器的构成

在智能卡微控制器里的三种不同类型的存储器具有完全不同的性能。ROM只能在制造期间通过掩膜来编程， 而且是所有的编完，在芯片的整个生命周期里它都是固定不变的。一旦给定了它的结构，要想在ROM的 内容上做一点偶然...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2028 关键词：智能卡操作系统的存储器的构成智能卡

闪速存储器的分类及特征

闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND几类。NAND闪速存储器单元的连接方式如图1所示，NOR闪速存储器如图2所示，DINOR闪速存储器如图3所示，AND闪速存储器...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：3801 关键词：闪速存储器的分类及特征闪速存储器

闪速存储器的概要

闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西，但又与普通的FET不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。 图1 闪速...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2125 关键词：闪速存储器的概要闪速存储器

什么是只读存储器（ROM是什么存储器）-ROM只读存储器

只读存储器英文readonlymemory:只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存...

分类：其它 时间：2008-10-21 阅读：4955 关键词：什么是只读存储器（ROM是什么存储器）-ROM只读存储器