静态列模式操作的概况如图所示。在－般的存取操作中，如果通过CASE指定地址，那么就只出现其列地址的数据。但如果保持CAS有效而切换地址，则成为切换列地址的模式。在DRAM...
观察对DRAM单元的访问方式即可明白，在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电，以及利用读出放大器进行放大等，所以不太擅长随机访问。但是，在实际中的存储器访问中，持续访问连续的区域是很常见的，而且在安装...
在惟RAS有效刷新的操作中，DRAM控制器必须知道个别的DRAM具有多少刷新地址，这是非常不方便的，因雨又设计了CAS先于RAS有效刷新的方法。该方法在DRAM内部内置刷新地址的发...
正如在DRAM的存取操作中所说明的，如果进行DRAM的读操作，则因为读出放大器的输出被返回到电容器，所以可兼容刷新操作。但是，如果只考虑刷新操作，那么就不需要赋予列地址...
DRAM基本的存取操作如图所示，结合RAS及OAS的有效，分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时，如果在这里DE有效，则DQn引脚被驱动，读出数据。另一方面，进行写操作时，在CAS有效之前WE有效，然后DQn上设置数据...
在利用读出放大器结束放大的过程中，读出放大器的输出与数据线相连接，如图所示。读出放大器的输出被连接，所以数据线上的电压可在读出放大器的输出电压之内变化。读出放大器的输人也通过读出放大器自身的输出而被驱...
只要完成了预充电，预充电开关就处于OFF状态。之后，选择数据线，一旦FET为ON，特定单元的电容器与寄生电容则形成并联的格局，这样，根据数据的“1”／“0”，预充电电压可进行高低调整。这样的变化并不是很大，所以...
图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线借助寄生电容，即使将预充电开关设置为OFF，数据线的电压也会保持预充电电压（当然，由于存在漏电流因而会...
因为电容器的容量不能无限小，所以既要进行小型化处理又要保持其容量是DRAM高集成化的重点。基本电介质的介电常数为ε，电极面积为S，电极间距离为歹，假设电容器的容量为C，则： C＝ε×S÷d 成立，因此...
当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在如图所示的方向上存在电流，因此DRAM单元的电容器将必然进行放电。所以，需要定期将单元的状态恢复为初始状...
图对DRAM单元结构进行了较为详细的描述，这是平面式的最基本的结构，在1MB的DRAM占据主导地位之前一般都是这样结构的单元。与刚才的图相比较更容易理解，图的左侧为FET部分，右侧为电容器部分。氧化膜为电介质，多晶...
图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）下的操作，它按照读／写／读这样的顺序进行存取。 图 同步双端口SRAM的存取操作示...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：1856 关键词：同步双端口SRAM的读／写搡作同步双端口SRAM
在利用双端口进行多个处理器间通信的情况下，为了传递开始处理请求以及结束的通知等信息，经常相互间中断某操作。CY7CO19就是为了这个目的而增加了中断功能。 说是中...
