韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储...
分类：其它 时间：2007-12-05 阅读：1691 关键词：三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRAM采用×8或×16位带宽，可方便地集成到DDR2非缓存双列直插内存模块(DIMM)中。 Elpida的这款256Mb DDR2...
分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1760 关键词：Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
C&D Technologies公司发布新款非隔离负载点(POL)转换器——VCN75-018V，它是为计算机DDR2存储器的供电应用而设计的，可以提供高达75A电流输出。该模块也适合用于其他许多固定大电流输出需求的设备。 VCN75-0...
分类：电源技术 时间：2007-12-04 阅读：1909 关键词：C&D可编程POL转换器支持DDR2存储器大电流供电应用UL94V-0
ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocityDDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARMVelocityDDR1/2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP
分类：其它 时间：2007-12-03 阅读：1718 关键词：ARM发布90纳米工艺DDR1/2存储器接口IP
内存及闪存制造商ATPElectronics,Inc.推出了最新的8GBDDR2RDIMM内存产品，这是一款带有寄存器的服务器内存，针对那些对速度、容量和可靠性要求很高的高端用户系统，如服务器、工作站、嵌入式系统、网络应用等。“在...
分类：其它 时间：2007-12-03 阅读：1715 关键词：ATP发布8GB DDR2 RDIMM高质量内存模块
主流存储器从FPM和EDO到SDR和DDR，再到DDR2 ，这种发展带来了先进的架构、更高的密度、更快的速度、更低的电源电压、更高的带宽和更低的功耗。 这些显著的技术进步提升了DRAM技术—尤其是将运算市场部分提高...
分类：其它 时间：2007-11-30 阅读：1493 关键词：DDR3为存储器应用带来新的技术优势
美光科技公司推出了其最新AspenMemory系列的节能产品，它是一款以RCC（reducedchipcount）存储模块构成的低压DDR2DRAM芯片。这些新产品是专门用来降低服务器功耗的。美光科技公司将继续开发其他产品以发展AspenMemor
分类：其它 时间：2007-11-28 阅读：1652 关键词：美光最新Aspen Memory打造低功耗DDR2模块
凌特公司(LinearTechnology)推出用于DDR/QDR存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器——LTC3776。该控制器的第二输出(VTT)可将其输出电压稳定在1/2VREF(通常是VDDQ)，同时可对称地提供或吸收输出电流
分类：电源技术 时间：2007-11-27 阅读：1641 关键词：凌特双输出同步稳压控制器用于DDR/QDR终端LTC3776EUFLTC3776EGNLTC3776
奇梦达公司(Qimonda)宣布推出GDDR5内存样品，已开始向客户供应首款512MbGDDR5(GraphicsDoubleDataRate5)的样品。GDDR5预计将成为下一个绘图内存主流标准，将绘图应用的内存频宽提升至新的层级。经过厂商与业界
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1354 关键词：奇梦达最新GDDR5内存产品开始送样
三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能
三星电子的667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器带宽比目前市场上最快的主存储器还宽25%。这款667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器是为台式电脑、笔记本电脑、工作站和服务器的快速数据传送而设计的。三星已经开始量...
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1756 关键词：三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能DDR400DDR2-667
Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据处理数率高达20GB/s，非常适合于高清视频、图像处理应用。 500){this.width=500}" border=0> 该GDDR5图...
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：2180 关键词：Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64DDRSDRAM内存条，基于256MbDDRSDRAM器件。它由16个32M×84DDRSD
分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1836 关键词：WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
美光科技公司（MicronTechnology,Inc.）日前宣布推出业界最快的主存储器，它配备了1GB的DDR2组件，运行速度达到了1066Mbps。美光科技公司的新款DDR2-1066存储模块主要应用于视频编辑或者高端游戏等数据增强运算应用...
分类：其它 时间：2007-11-24 阅读：1533 关键词：美光科技最新DDR2存储模块速度达到1066Mbps
Intersil同步降压控制器效率达95％，适用于DDR2存储器电源..
Intersil公司近日推出效率达95%的同步降压控制器，扩展了其原有的电源管理产品系列。ISL88550A具有的综合特性为DDR和DDR2存储器电源提供解决方案；也可用于所需电压低至0.7V的其他应用。ISL88550A集成了一个同步降压...
分类：电源技术 时间：2007-11-23 阅读：1090 关键词：Intersil同步降压控制器效率达95％，适用于DDR2存储器电源..ISL88550A
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量
分类：其它 时间：2007-11-23 阅读：1466 关键词：ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A
Intersil同步降压控制器效率达95％，适用于DDR2存储器电源
Intersil公司推出效率达95%的同步降压控制器，扩展了其原有的电源管理产品系列。ISL88550A具有的综合特性为DDR和DDR2存储器电源提供解决方案；也可用于所需电压低至0.7V的其他应用。ISL88550A集成了一个同步降压PWM(...
分类：其它 时间：2007-11-23 阅读：1209 关键词：Intersil同步降压控制器效率达95％，适用于DDR2存储器电源ISL88550A
奇梦达向ATI交付首批笔记本用DDR3 SO-DIMM样品..
奇梦达公司日前宣布已向ATI供应了据称是业内首批DDR3 SO-DIMM(双数据率3小外型双线内存模组)样品。DDR3将成为服务器系统、台式机和笔记本电脑用高速、低功率组件与模组的新...
分类：其它 时间：2007-11-22 阅读：1474 关键词：奇梦达向ATI交付首批笔记本用DDR3 SO-DIMM样品..
创新存储产品企业奇梦达股份公司日前宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装)，存储容量为512Mb,工作电压为1.8V，符合JEDECDDR标准。为提高...
分类：通信与网络 时间：2007-11-22 阅读：1369 关键词：奇梦达首推183兆赫DDR366—双数据速率同步移动RAMDDR266
奇梦达四列8GB DDR2节能型FB-DIMM可降低服务器功...
存储产品供应商奇梦达(Qimonda)公司近日宣布推出业界首款四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组(FB-DIMM)，该模组技术是推动下一代多核服务器性能的重要技术，同时还可降低服务器的功耗。这些FB-DIMM模组进一步壮大了奇梦...
分类：其它 时间：2007-11-16 阅读：1184 关键词：奇梦达四列8GB DDR2节能型FB-DIMM可降低服务器功...
奇梦达(Qimonda)公司近日宣布推出新的1Gb GDDR3内存模组，以扩展其GDDR3(图形双数据速率3)产品组合。此外，奇梦达还对其所有现有的GDDR3产品进行了速度上的升级。 在目前的256Mb和512Mb产品组合的基础上，奇梦...
分类：其它 时间：2007-11-15 阅读：1520 关键词：奇梦达推出新的1Gb GDDR3内存模组
