高性能CMOS集成电压比较器设计

电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在高速度...

分类：电源技术 时间：2009-08-25 阅读：3996 关键词：高性能CMOS集成电压比较器设计集成电压比较器

基于Blackfin的图像处理与CMOS传感器中ISP的比较

图像是人类获取和交换信息的主要来源，因此，图像处理的应用领域必然涉及到人类生活和工作的方方面面。随着人类活动范围的不断扩大，图像处理的应用领域也将随之不断扩大。遍布从航天航空、医疗设备、通信工程、军事...

分类：传感技术 时间：2009-07-10 阅读：2217 关键词：基于Blackfin的图像处理与CMOS传感器中ISP的比较MPEG-4传感器图像处理

基于CMOS阈值电压的基准电路设计

摘要：在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电...

分类：电源技术 时间：2009-07-06 阅读：5339 关键词：基于CMOS阈值电压的基准电路设计电压

基于电流折叠技术的CMOS全差分VCO设计

摘 要：针对目前通信系统应用上对压控振荡器的片上集成、宽调谐、调幅、启动特性和功耗等提出的综合性要求，分析和设计了一种压控调频调幅振荡器，其延迟单元采用全差分结构，以消除共模噪声和增加延迟控制的灵活性...

分类：电源技术 时间：2009-07-03 阅读：2674 关键词：基于电流折叠技术的CMOS全差分VCO设计电流振荡器

在单芯片手机方案中采用CMOS功率放大器

每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何就可提供制造商和设计师所需的...

分类：模拟技术 时间：2009-06-09 阅读：2086 关键词：在单芯片手机方案中采用CMOS功率放大器CMOS功率放大器

GBT 9424-1998半导体器件 集成电路 第2部分： 数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和400

GBT9424-1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第五篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：//www.yin

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：4183 关键词：GBT 9424-1998半导体器件 集成电路 第2部分： 数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和400

GB-T 9424-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和40

GB-T9424-1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第五篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：//www.yi

分类：模拟技术 时间：2009-05-06 阅读：2001 关键词：GB-T 9424-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和40

该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性

概述　　从数十年前被发明以来，MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低，推动了整体电路尺寸和功耗的大大减少。由于门氧化物厚度的减小，可容许电源电压降低，而通道长度和宽度的缩减...

分类：模拟技术 时间：2009-02-05 阅读：2127 关键词：该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性CMOS放大器电压反馈放大器感应器

OmniVision推出首款百万像素CMOS影像传感器

CMOS影像传感器领先独立供应商OmniVisionTechnologies,Inc.日前宣布推出首款专为先进的汽车视觉和传感系统设计的百万像素CMOS影像传感器——采用QFP封装的OV9710。百万像素感测器是汽车视觉系统领域的新一代设计，让...

分类：传感技术 时间：2009-01-13 阅读：3021 关键词：OmniVision推出首款百万像素CMOS影像传感器传感器

CMOS图像采集模块

视频源信号来自于一个高度集成的CMOS数字图像传感器模块MB86S02，它是富士通的产品。它不但集成了CMOS图像传感器 阵列、自动增益信号放大器、模数转换器，还包括了色彩信号处理和微型镜头，包含了图像采集的所有前端...

分类：其它 时间：2008-12-30 阅读：3777 关键词：CMOS图像采集模块MB86S02CMOS

在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成

在1.3～1.55 gm波长光纤通信窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器...

分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2853 关键词：在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成ELECTRIC光电

BiCMOS工艺单片集成光电接收器

由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响...

分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2122 关键词：BiCMOS工艺单片集成光电接收器BiCMOS

CMOS工艺单片集成光电接收器

和利用双极工艺中隐埋层集电极实现探测器和接收器集成相比，利用CMOS工艺集成探测器接收器所需的额外工艺 步骤要少得多。利用自备低掺杂衬底，在双阱工艺基础上只需一层额外掩模版以掩蔽二极管区调整栅开启电压的 掺...

分类：元器件应用 时间：2008-12-02 阅读：2334 关键词：CMOS工艺单片集成光电接收器CMOS

基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；...

分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3704 关键词：基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器SILICONCMOSLATCH探测器

UV-EPROM的待机（TTL/CMOS）操作

CE一旦变为高电平，则UV-EPROM处于非选择状态。此时，根据CE的电压，损耗电流将逐渐改变。当CE是－般的高电平（＋2.0V以上）时，处于TTL待机状态。尽管如此，但如果CE进而增高到Vcc±0.3V，则UV－EPROM处于CMOS待机...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1674 关键词：UV-EPROM的待机（TTL/CMOS）操作待机（TTL/CMOS）操作AM27C010TTL/CMOS