DDR－SDRAM的信号

DDR SDRAM的信号例如图1所示，在这里，作为4M×16位×4块结构的256M位的DDR SDRAM，我们以ELPIDA公司（NEO与日立的合资公司）的HM5425161B为例进行说明。在同步DRAM的基础上添加的信号标注了※符号，与DRAM控制器的...

分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：3918 关键词：DDR－SDRAM的信号DDR－SDRAM

片上SDRAM控制器的设计与集成

本文介绍了SDRAM控制器IP核的设计、电路的功能仿真、综合以及验证等过程,其中重点讨论了该控制器的接口设计以实现SoC的集成。性能分析表明该控制器设计合理、性能优异。结果证明了该IP在功能和时序上符合SDRAM控制器...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-16 阅读：1600 关键词：片上SDRAM控制器的设计与集成DEVICECONTMICRONMASTERRATESDRAMFIFO

安川电机隆重推出FSDrive-MV1S系列高压变频器

安川电机(YASKAWA)隆重推出FSDrive-MV1S系列高压变频器。该系列主要应用于冶金行业、石油化工、水处理、矿山水泥、发电行业、实验机等；也可应用于机械方面，诸如风机、水泵、挤出机、搅拌机、窑炉等。FSDrive-MV1S...

分类：工业电子 时间：2008-06-24 阅读：2965 关键词：安川电机隆重推出FSDrive-MV1S系列高压变频器变频器

一种针对功率设计SDR的整体方法

由于像美国联合战术无线电系统(JTRS)这样的计划，软件定义的无线电(SDR)早已被证实。然而，有许多问题严重地制约着SDR的广泛部署，其中相当重要的问题就是功率。功率是在设计每一个SDR子系统时的主要考虑因素，特别...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-24 阅读：1554 关键词：一种针对功率设计SDR的整体方法SDR功率FPGA

SDRAM接口的VHDL设计

RAM（随机存取存储器　是一种在电子系统中应用广泛的器件，通常用于数据和程序的缓存。随着半导体工业的发展，RAM获得了飞速的发展，从RAM、DRAM(Dynamic RAM，即动态RAM)发展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-16 阅读：4757 关键词：SDRAM接口的VHDL设计RS232SDRAM接口VHDL

WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装

WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)宣布推出一款容量为2Gb的32M×72DDRSDRAM。作为WEDC高密度双倍数据率(DDR)SDRAM家族产品中的最新成员，此款SDRAM支持高性能处理器。WEDC的256Mb(2Gb)

分类：其它 时间：2008-06-02 阅读：2015 关键词：WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装DDRSDRAM芯片封装

Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGA

Altera公司宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3JEDECDDR3SDRAM标准下，AlteraStratix®III系列FPGA可以帮助设计人员充分发挥DDR3存储器的高性

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-02 阅读：2836 关键词：Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGAJEDECDDR3SDRAMFPGA

FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

DDR3SDRAM内存的总线速率达到600Mbpsto1.6Gbps(300to800MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何实现FPGA和DDR3SDR

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-12-21 阅读：1726 关键词：FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

三星电子公司宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，是当前80nm...

分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：2010 关键词：三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案

赛灵思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2参考设计。据称，该参考设计提供了FPGA业界带宽最高、最可靠的内存接口解决方案。赛灵思DDR2-SDRAM接口采用了创新的Virtex-4ChipSync技术，这是

分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：1590 关键词：赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案DDR2-667

利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题

在DSP应用系统中，需要大量外扩存储器的情况经常遇到。例如，在数码相机和摄像机中，为了将现场拍摄的诸多图片或图像暂存下来，需要将DSP处理后的数据转移到外存中以备后用。从目前的存储器市场看，SDRAM由于其性能...

分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：1746 关键词：利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题TMS320C54TMS626812A

W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）

White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRSDRAM器件的2x128Mx72双数据速率(DDR)SDRAM存储器模块.模块包括有36个128Mx

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-12-07 阅读：1435 关键词：W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）

支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供

Altera与NorthwestLogic宣布为Altera的高密度StratixII与StratixIIGXFPGA，提供经过硬件验证的667-MbpsDDR2SDRAM接口，这个接口结合了Altera的自动校准DDR2PHY与Northwest

分类：其它 时间：2007-12-06 阅读：1827 关键词：支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供

三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片

韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储...

分类：其它 时间：2007-12-05 阅读：1697 关键词：三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片

Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps

Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRAM采用×8或×16位带宽，可方便地集成到DDR2非缓存双列直插内存模块(DIMM)中。 　　Elpida的这款256Mb DDR2...

分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1762 关键词：Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps

WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM

WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64DDRSDRAM内存条，基于256MbDDRSDRAM器件。它由16个32M×84DDRSD

分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1840 关键词：WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM