图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：1914 关键词：二维器件模拟光电探测器的结构CMOS探测器
CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深（约10 gm），同时CMOS工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅（＜1 gm），因此大量的光生载流子是在pn结外的体硅内...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2115 关键词：光电P型叉指结构二极管CMOS二极管
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：4142 关键词：双光电二极管（DPD）CMOS二极管
图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成。下面 主要介绍一下该机驱动电路部分的模块设计。芯片指标如表1所示。图1 一种LD发射机框图 表1 LD发射器驱动电路...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2641 关键词：LD发射机实例LD发射机
典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。 （1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2章己经有详细介绍，这里不再赘述。 （2）波行整形：由线路编码送给发射电路的时钟，首先各通过一个门电路进行整形，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3569 关键词：典型的LD光发射机LD光发射机
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3704 关键词：基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器SILICONCMOSLATCH探测器
对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制速率等优 点，它适应于长距离，高速大容量的光通信系统。而对LED来说，由于它的发射角较大，与光纤的耦合效率低，光 谱...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3061 关键词：LED发射器LED
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2078 关键词：集成光电探测器彩色传感器传感器
在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3351 关键词：紫外（UV）光探测器探测器
基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 图1 一种纂于SBC工艺的光电晶体管 简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基区－集电区pn结作为一个光吸收的耗尽...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4323 关键词：光电晶体管晶体管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3427 关键词：集电极形成的PIN光电二极管二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2223 关键词：双极工艺光电二极管二极管
目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1751 关键词：基于硅基双极型工艺的光电探测器CMOS探测器
在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度，在没有偏压下响应度为14.8 mA/W，相应...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6881 关键词：光电探测器响应度随波长变化曲线探测器
为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4708 关键词：GaN PIN光电探测器结构探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3880 关键词：GaN基肖特基结构紫外光电探测器探测器
Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1845 关键词：采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器探测器
MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上，接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构，相互错开的电极各自加正负电压使电极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3775 关键词：光电MSM探测器探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增区分开（Separate...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6080 关键词：光电SAM-APD探测器探测器
在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3643 关键词：雪崩光电探测器结构和能带探测器
