一、半导体器件

　　混合式 IC
　　厚膜 IC：在陶瓷等绝缘基片上，用丝网印刷导电等浆料，高温烧结形成元件，再连接芯片构成电路。
　　薄膜 IC：在基片上用 PVD、CVD 等技术沉积薄膜，经光刻、蚀刻制作元件和线路。
　　BiCMOS：集成双极型和 CMOS 器件，结合速度快、驱动强和功耗低、集成度高优点，用于放大器、微处理器等。
　　RAM
　　SRAM：用触发器存储数据，电源不断数据保持，速度快、成本高、集成度低，用于高速缓存。
　　DRAM：通过电容存储数据，需定期刷新，速度慢、成本低、集成度高，是计算机主存。
　　ROM
　　掩模 ROM：制造时用掩模技术写入数据，成本低、不可更改，用于存储固定程序。
　　PROM：用户购买后可性写入数据。
　　EPROM：可通过紫外线照射擦除数据并重新编程，用于产品开发。
　　EEPROM：用电信号擦除和编程，可字节级操作，用于频繁更新少量数据。
　　闪存：特殊 EEPROM，存储密度高、读写快，可块擦除，用于 U 盘等。
　　逻辑芯片
　　微处理器（MPU）：简化版 CPU，用于高性能嵌入式系统。
　　微控制器（MCU）：集成 CPU 等多模块，高集成度、低功耗，用于嵌入式控制。
　　数字信号处理器（DSP）：实时处理数字信号，用于通信等设备。
　　现场可编程门阵列（FPGA）：可重构逻辑器件，灵活性高、开发周期短，用于原型设计等。
　　复杂可编程逻辑器件（CPLD）：可编程逻辑器件，逻辑容量大、速度高，用于数字系统设计。
　　ASIC：为特定应用定制，如比特币挖矿、图像识别芯片。
　　半用户定制
　　门阵列：制造基本逻辑门阵列，互连可定制。
　　PLA：通过编程与或阵列实现逻辑功能。
　　独立知识产权 IC：设计等环节拥有自主知识产权，华为海思等有成就。
　　SoC：集成 CPU 等多模块，实现复杂系统功能。
　　二、半导体 MEMS 器件
　　传感器类
　　加速度传感器（ACC）：测量物体加速度，用于手机等。
　　压力传感器（PS）：测量压力，用于汽车胎压监测等。
　　陀螺仪传感器（GYRO）：测量角速度，用于导航等。
　　气体传感器（GS）：检测气体成分和浓度，用于空气质量监测等。
　　光学传感器（OS）：用于成像等，如手机摄像头图像传感器。
　　执行器类
　　微电机：电能转机械能，驱动微小机械结构。
　　微阀：控制流体流动，用于微流体系统等。
　　微：控制电路通断，用于航空航天等。
　　其他功能类
　　射频 MEMS 芯片（RF - MEMS）：处理和传输射频信号，用于通信。
　　微热电器件：利用热电效应实现能量转换或温度控制。
　　三、半导体光电器件
　　光电：将光信号转换为电信号，用于光通信等。
　　激光二极管：产生激光，用于光存储等。
　　发光二极管：用于照明等，节能、寿命长。
　　四、半导体分立器件
　　二极管：单向导电性，用于整流等，有普通、稳压等类型。
　　：电流控制型，用于放大、开关。
　　绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：综合 BJT 和 MOSFET 优点，有三层结构和两个 PN 结，栅极通过绝缘层与沟道隔开。