宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应，其占板面积只是1.1平方毫米、导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。
　　要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小尺寸还是高性能了，因为EPC2051可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051虽然占板面积小，它工作在50 V–12 V降压、500 kHz及4 A输出电流时可实现97%效率!此外，低成本的EPC2051与等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2051的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统、激光雷达、LED照明及D类音频等应用的48 V输入电压的功率转换器。
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　　宜普电源转换公司执行官Alex Lidow说：「氮化镓(eGaN)器件工作在高频下可实现高效率，在性能及成本方面得以扩大与等效硅基器件的绩效差距。此外，100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管比等效MOSFET小型化30倍!」
　　开发板
　　EPC9091开发板的器件的电压为100 V、半桥式、采用EPC2051晶体管及uPI半导体公司的栅极驱动器(uPI1966A)。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米)，专为开关性能而设，而且包含所有重要元件，使得工程师可以易于对100 V的EPC2051 eGaN FET进行评估。