高输入轨电压的降压转换器的FET损耗化
出处：tyw 发布于：2010-01-21 11:40:24
美国国家半导体公司
工程师经常会面临的难题是，如何选择输入电压轨才能 使DC-DC在负载点(POL)的工作性能达到。对于 超过12V的高电压轨，通常需要中间稳压级，这会降低总体 效率并增加成本。然而，和控制器IC的新一代产品可 由这些高输入轨电压直接提供POL的稳压。一般情况下将降 压稳压器作为POL应用的器件，但其效率在极大程度上取决 于高边(HS)和低边(LS)的MOSFET(FET)组合的优化。在较 低输入电压时，经常能采用相同的高边和低边FET，然而对 于较高的输入电压，这些FET的选择标准是不同的，这也是 本应用注释所要讨论的主题。
降压转换器的损耗机理
图1 中的电路描述了直流–直流降压(Buck)稳压器电路的 基本结构，采用LM5116作为脉冲宽度调制器(PWM)控 制器。关键的电流路径是从VIN通过高边FET并经过至 输出；另一种选择是，从接地端穿越Rs和低边FET至输出 端。沿着这条路径上产生的FET功率损耗在所有损耗中居主 导地位。
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