SR的功耗，可以用式（7－5）近似表示：

　　式中 项——正向通态损耗，其中IFrms为正向电流有效值；

　　       RDS（on）——功率管的通态电阻；

　　       第二项——过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗，其中f为开关频率；

　　       Cin——等效输人电容；

             UGs——门极驱动电压。

　　由式（7-5）可知，SR的功耗与RDS(on)和Cin有关，在工程上用两者的乘积表示SR的损耗大小：

　　式中，K为损耗因数，单位为nF·mΩ。以公司生产的SUM110N04－02L同步为例，其阻断电压为40v，额定电流为110A，输人电容约为7.3 nF，结温为125℃时的通态电阻不大于3.7 mO，Κ＝27 nF·mΩ。

　　为了减小通态电阻。可以将几个低压功率MOS管并联组成SR。但在高频时，多管并联后寄生电容也成倍增大，因而输入电容的充、放电引起的损耗也将大幅增加。

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